IRFR2405TRPBF vs IRF8736TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFR2405TRPBF توسط Infineon و IRF8736TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFR2405TRPBF IRF8736TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Status Active —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (IR MOSFET) StrongIRFET / HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 16 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V] —
Total Gate Charge (Qg) 70 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
دمای اتصال کاری -55C to +175C —
بسته‌بندی TO-252AA (DPAK) SO-8 (8-SO, MS-012AA)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پایه 3 (Gate, Drain, Source) + Tab —
سطح MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
وضعیت RoHS Compliant (Lead-Free PBF suffix) —
بدون هالوژن [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) Yes (fully characterized avalanche voltage)
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 18 A
Power Dissipation (PD) Max at TA=25C — 2.5 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max — 4.8 mOhm at VGS = 10V
Gate Charge (Qg) Typical — 17 nC
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
محدوده دمای کاری — -55C to +150C (junction)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant)
Configuration — Single
Packaging — Tape & Reel (TRPBF suffix)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت