IRFR2405TRPBF vs IRF8736TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR2405TRPBF بذریعہ Infineon اور IRF8736TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR2405TRPBF IRF8736TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Status Active —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (IR MOSFET) StrongIRFET / HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 16 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V] —
Total Gate Charge (Qg) 70 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C —
پیکیج TO-252AA (DPAK) SO-8 (8-SO, MS-012AA)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 3 (Gate, Drain, Source) + Tab —
MSL لیول 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS اسٹیٹس Compliant (Lead-Free PBF suffix) —
ہیلوجن فری [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) Yes (fully characterized avalanche voltage)
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 18 A
Power Dissipation (PD) Max at TA=25C — 2.5 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max — 4.8 mOhm at VGS = 10V
Gate Charge (Qg) Typical — 17 nC
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +150C (junction)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant)
Configuration — Single
Packaging — Tape & Reel (TRPBF suffix)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں