IRFR2405TRPBF vs IRFR220NPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR2405TRPBF tarafından Infineon ve IRFR220NPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR2405TRPBF IRFR220NPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Status Active —
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (Planar)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 16 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V] —
Total Gate Charge (Qg) 70 nC [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C —
Paket TO-252AA (DPAK) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) + Tab 3 (Gate, Drain, Source) plus tab
MSL Seviyesi 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu Compliant (Lead-Free PBF suffix) —
Klorürsüz [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 5 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 43 W
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 0.6 ohm at VGS = 10 V
Paket / Kas — TO-252AA (DPAK)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C (junction)
Lead-Free / RoHS — Yes, lead-free (PBF suffix)
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet characterization)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin