IRFR2405TRPBF vs IRFR220NPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR2405TRPBF بواسطة Infineon و IRFR220NPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFR2405TRPBF IRFR220NPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Status Active —
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (Planar)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 16 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V] —
Total Gate Charge (Qg) 70 nC [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +175C —
العلبة TO-252AA (DPAK) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 3 (Gate, Drain, Source) + Tab 3 (Gate, Drain, Source) plus tab
مستوى MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
حالة RoHS Compliant (Lead-Free PBF suffix) —
خالٍ من الهالوجين [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 5 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 43 W
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 0.6 ohm at VGS = 10 V
العلبة / الحالة — TO-252AA (DPAK)
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +150C (junction)
Lead-Free / RoHS — Yes, lead-free (PBF suffix)
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet characterization)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر