IRFR2405TRPBF vs IRFR2405TRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR2405TRPBF tarafından Infineon ve IRFR2405TRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR2405TRPBF IRFR2405TRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET, 7th generation)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 200 A (typical, per datasheet family)
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 16 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V] —
Total Gate Charge (Qg) 70 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C —
Paket TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) + Tab —
MSL Seviyesi 1 —
RoHS Durumu Compliant (Lead-Free PBF suffix) —
Klorürsüz [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 56 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 16 mOhm
Gate Charge (Qg) typical — 70 nC
Power Dissipation (PD) at Tc — 110 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +175 C (junction)
Avalanche Energy Rated — Yes (HEXFET ruggedized design)
Lead-Free / RoHS — Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant
Packaging — Tape & Reel (TR)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin