IRFR2405TRPBF vs IRFR2405TRLPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR2405TRPBF بواسطة Infineon و IRFR2405TRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFR2405TRPBF IRFR2405TRLPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET, 7th generation)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 200 A (typical, per datasheet family)
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 16 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V] —
Total Gate Charge (Qg) 70 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +175C —
العلبة TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 3 (Gate, Drain, Source) + Tab —
مستوى MSL 1 —
حالة RoHS Compliant (Lead-Free PBF suffix) —
خالٍ من الهالوجين [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 56 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 16 mOhm
Gate Charge (Qg) typical — 70 nC
Power Dissipation (PD) at Tc — 110 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 C to +175 C (junction)
Avalanche Energy Rated — Yes (HEXFET ruggedized design)
Lead-Free / RoHS — Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant
Packaging — Tape & Reel (TR)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر