IRFR5410TRPBF vs IPD042P03L3GATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR5410TRPBF tarafından Infineon ve IPD042P03L3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRFR5410TRPBF | IPD042P03L3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -100 V | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C | -13 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V | 205 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) typ | 70 nC | — |
| Paket | TO-252AA (DPAK), surface mount | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Power Dissition (PD) at TC = 25 °C | 66 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +150 °C (TJ) | -55°C to +175°C (TJ) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (advanced process, Gen 5) | OptiMOS™ P (Trench) |
| Avalanche Rated | Yes (fully avalanche rated) | — |
| Lead-Free / RoHS Status | Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| RDS(on) Test Conditions | VGS = -10 V, ID = -7.0 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | -70 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | -280 A |
| RDS(on) max @ VGS = -10 V | — | 4.2 mΩ |
| RDS(on) max @ VGS = -4.5 V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) @ -4.5 V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | -1.5 V (typ) |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Total Power Dissipation (PD @ Tc=25°C) | — | 150 W |
| Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) | — | 290 mJ |
| RoHS Durumu | — | Compliant |