IRFR5410TRRPBF vs IRLZ34NSTRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR5410TRRPBF tarafından Infineon ve IRLZ34NSTRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR5410TRRPBF IRLZ34NSTRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity P-Channel —
FET Type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) N-Channel
Technology HEXFET (5th Generation) —
VDS (Drain-Source Voltage) -100 V —
VGS (Gate-Source Voltage) ±20 V —
VGS(th) (Gate Threshold) -2 V to -4 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -13 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at 100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 110 A
RDS(on) max at VGS=-10V 205 mΩ —
RDS(on) typical at VGS=-10V 26 mΩ (per Mouser listing for IRFR5410TRPBF) —
Total Gate Charge (Qg) 70 nC 16.7 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 66 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +150C —
Paket TO-252AA (DPAK) D2PAK (TO-263), surface mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 30 A
RDS(on) at VGS=5V — 35 mOhm (typical)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic-level (5 V drive compatible)
Power Dissipation (Ta) — 3.8 W
Power Dissipation (Tc) — 68 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Built-in Body Diode — Yes
Configuration — Single with built-in diode
Switching Frequency Optimization — Below 100 kHz
Cell Structure — HEXFET planar (5th generation)
Qualification — JEDEC standard
RoHS Durumu — Compliant (Pb-free)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin