IRFR5410TRRPBF vs IRLZ34NSTRLPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRFR5410TRRPBF bằng Infineon và IRLZ34NSTRLPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRFR5410TRRPBF IRFR5410TRRPBF - P-CH 100V 13A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5410TRRPBF - P-CH 100V 13A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5410TRRPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF - 55V 30A N-Ch HEXFET MOSFET, D2PAK | Infineon

IRLZ34NSTRLPBF - 55V 30A N-Ch HEXFET MOSFET, D2PAK | Infineon

IRLZ34NSTRLPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRFR5410TRRPBF IRLZ34NSTRLPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Polarity P-Channel —
FET Type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) N-Channel
Technology HEXFET (5th Generation) —
VDS (Drain-Source Voltage) -100 V —
VGS (Gate-Source Voltage) ±20 V —
VGS(th) (Gate Threshold) -2 V to -4 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -13 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at 100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 110 A
RDS(on) max at VGS=-10V 205 mΩ —
RDS(on) typical at VGS=-10V 26 mΩ (per Mouser listing for IRFR5410TRPBF) —
Total Gate Charge (Qg) 70 nC 16.7 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 66 W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55C to +150C —
Hộp TO-252AA (DPAK) D2PAK (TO-263), surface mount
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 30 A
RDS(on) at VGS=5V — 35 mOhm (typical)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic-level (5 V drive compatible)
Power Dissipation (Ta) — 3.8 W
Power Dissipation (Tc) — 68 W
Khoảng nhiệt độ hoạt động — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Built-in Body Diode — Yes
Configuration — Single with built-in diode
Switching Frequency Optimization — Below 100 kHz
Cell Structure — HEXFET planar (5th generation)
Qualification — JEDEC standard
Trạng thái RoHS — Compliant (Pb-free)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá