IRFR5410TRRPBF vs IRLZ34NSTRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR5410TRRPBF بذریعہ Infineon اور IRLZ34NSTRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRFR5410TRRPBF IRFR5410TRRPBF - P-CH 100V 13A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5410TRRPBF - P-CH 100V 13A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5410TRRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR5410TRRPBF IRLZ34NSTRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity P-Channel —
FET Type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) N-Channel
Technology HEXFET (5th Generation) —
VDS (Drain-Source Voltage) -100 V —
VGS (Gate-Source Voltage) ±20 V —
VGS(th) (Gate Threshold) -2 V to -4 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -13 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at 100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 110 A
RDS(on) max at VGS=-10V 205 mΩ —
RDS(on) typical at VGS=-10V 26 mΩ (per Mouser listing for IRFR5410TRPBF) —
Total Gate Charge (Qg) 70 nC 16.7 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 66 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +150C —
پیکیج TO-252AA (DPAK) D2PAK (TO-263), surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 30 A
RDS(on) at VGS=5V — 35 mOhm (typical)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic-level (5 V drive compatible)
Power Dissipation (Ta) — 3.8 W
Power Dissipation (Tc) — 68 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Built-in Body Diode — Yes
Configuration — Single with built-in diode
Switching Frequency Optimization — Below 100 kHz
Cell Structure — HEXFET planar (5th generation)
Qualification — JEDEC standard
RoHS اسٹیٹس — Compliant (Pb-free)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں