IRFR9024NTRPBF vs IRF7342TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR9024NTRPBF tarafından Infineon ve IRF7342TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR9024NTRPBF IRF7342TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) $0,17 —
Polarity P-Channel —
VDS (Drain-Source Voltage) -55 V —
Continuous Drain Current (Tc=25C) -11 A —
Pulsed Dræn Akımı [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
VGS (Gate-Source Voltage) ±20 V —
VGS(th) (Threshold Voltage) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
RDS(on) Max at VGS=-10V 175 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 12.7 nC —
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) 38 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C —
Paket TO-252AA (DPAK) 8-SOIC (SO-8), surface mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 —
Technology HEXFET (Gen 5) HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation), P-Channel
RoHS Durumu Compliant —
Part Number — IRF7342TRPBF
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Configuration — Dual P-Channel MOSFET Array (two independent P-FETs in one package)
Drain-Source Voltage (Vds) — -55 V
Continuous Drain Current (Id) — -3.4 A at 25 C
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — -1.0 V to -3.0 V (typ -1.7 V)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 0.105 ohm max at VGS = -10 V
Maximum Power Dissumption (Pd) — 2 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +150 C (Tj)
Packaging — Tape and Reel (TR)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates lead-free, RoHS compliant)
Channel Type — P-Channel (enhancement mode)
Number of Channels — 2 (dual array)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin