IRLML0030TRPBF vs IRLML2030TRPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLML0030TRPBF tarafından Infineon ve IRLML2030TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRLML0030TRPBF | IRLML2030TRPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 5.3 A | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 27 mOhm at VGS=4.5V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic-level (5 V optimized) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 3.6 nC typical | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 1.3 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C | — |
| Paket | Micro3 / SOT-23 (3-pin) | Micro3 (SOT-23) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR HEXFET Power MOSFET | HEXFET (IR MOSFET) |
| MSL Seviyesi | 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) | MSL 1 |
| Soldering | Wave-solder capable | Wave-solder compatible |
| Qualification | JEDEC standard | JEDEC standard |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IRLML2030TRPBF |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 2.7 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 1.3 W |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 100 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | 154 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 1.0 nC |
| İşletim Sıcaklığı | — | -55C to +150C (junction) |
| RoHS Compliance | — | Yes (lead-free, halogen-free) |