IRLML0030TRPBF vs IRLML2030TRPBF مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IRLML0030TRPBF توسط Infineon و IRLML2030TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IRLML0030TRPBF | IRLML2030TRPBF |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 5.3 A | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 27 mOhm at VGS=4.5V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic-level (5 V optimized) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 3.6 nC typical | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 1.3 W | — |
| محدوده دمای کاری | -55C to +150C | — |
| بسته‌بندی | Micro3 / SOT-23 (3-pin) | Micro3 (SOT-23) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR HEXFET Power MOSFET | HEXFET (IR MOSFET) |
| سطح MSL | 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) | MSL 1 |
| Soldering | Wave-solder capable | Wave-solder compatible |
| Qualification | JEDEC standard | JEDEC standard |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IRLML2030TRPBF |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 2.7 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 1.3 W |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 100 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | 154 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 1.0 nC |
| دمای کاری | — | -55C to +150C (junction) |
| RoHS Compliance | — | Yes (lead-free, halogen-free) |