IRLML0030TRPBF vs IRLML2030TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLML0030TRPBF بذریعہ Infineon اور IRLML2030TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF - 30V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML0030TRPBF - 30V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML0030TRPBF ✓ فعال
Infineon
IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF - 30V N-Ch HEXFET MOSFET, 2.7A | Infineon

IRLML2030TRPBF - 30V N-Ch HEXFET MOSFET, 2.7A | Infineon

IRLML2030TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLML0030TRPBF IRLML2030TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 5.3 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 27 mOhm at VGS=4.5V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level (5 V optimized) —
Total Gate Charge (Qg) 3.6 nC typical —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.3 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C —
پیکیج Micro3 / SOT-23 (3-pin) Micro3 (SOT-23)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET Power MOSFET HEXFET (IR MOSFET)
MSL لیول 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) MSL 1
Soldering Wave-solder capable Wave-solder compatible
Qualification JEDEC standard JEDEC standard
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRLML2030TRPBF
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 2.7 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 1.3 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 100 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — 154 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Gate Charge (Qg) typ — 1.0 nC
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55C to +150C (junction)
RoHS Compliance — Yes (lead-free, halogen-free)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں