IRLML6246TRPBF vs IRLHS6242TRPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLML6246TRPBF tarafından Infineon ve IRLHS6242TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRLML6246TRPBF | IRLHS6242TRPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IRLML6246TRPBF | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET Power MOSFET) | HEXFET (trench MOSFET) |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 20 V | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 4.1 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | 46 mOhm | 11.7 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=2.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 1.1 V (logic-level) | — |
| Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] | — |
| Power Dissipation (Ta=25C) | 1.3 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C (junction) | — |
| Paket | SOT-23 (Micro3) | 6-PQFN (2x2) / DFN2020 with exposed pad |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS Compliance | Yes (Pb-free) | — |
| Klorürsüz | Yes | — |
| MSL Seviyesi | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±12 V |
| Continuous Drain Current (TA) | — | 10 A |
| Continuous Drain Current (TC) | — | 12 A |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 14 nC |
| Power Dissipation (TA) | — | 1.98 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 9.6 W |
| İşletim Sıcaklığı | — | -55°C to +150°C |
| Gate Drive Level | — | Logic-level (4.5V); 2.5V-capable |
| Qualification | — | JEDEC standard |