IRLML6246TRPBF vs IRLHS6242TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLML6246TRPBF بذریعہ Infineon اور IRLHS6242TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRLML6246TRPBF IRLML6246TRPBF - 20V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6246TRPBF - 20V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6246TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLML6246TRPBF IRLHS6242TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRLML6246TRPBF —
Technology IR MOSFET (HEXFET Power MOSFET) HEXFET (trench MOSFET)
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 4.1 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V 46 mOhm 11.7 mΩ
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=2.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.1 V (logic-level) —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] —
Power Dissipation (Ta=25C) 1.3 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction) —
پیکیج SOT-23 (Micro3) 6-PQFN (2x2) / DFN2020 with exposed pad
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS Compliance Yes (Pb-free) —
ہیلوجن فری Yes —
MSL لیول MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±12 V
Continuous Drain Current (TA) — 10 A
Continuous Drain Current (TC) — 12 A
Total Gate Charge (Qg) — 14 nC
Power Dissipation (TA) — 1.98 W
Power Dissipation (TC) — 9.6 W
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55°C to +150°C
Gate Drive Level — Logic-level (4.5V); 2.5V-capable
Qualification — JEDEC standard

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں