IRLR120NTRPBF vs IRFR220NTRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLR120NTRPBF tarafından Infineon ve IRFR220NTRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IRFR220NTRLPBF IRFR220NTRLPBF - 200V 5A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR220NTRLPBF - 200V 5A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR220NTRLPBF ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRLR120NTRPBF IRFR220NTRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (Fifth Generation, planar) —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 10 A 5 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed Idm] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Rds(on) Max at Vgs=10V 185 mΩ —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] —
Total Gate Charge (Qg) 13.3 nC [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 48 W 43 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (junction) -55C to +150C (junction)
Paket TO-252AA (DPAK), 3-pin surface mount TO-252AA (DPAK), 2 Leads + Tab, SC-63
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rating Fully avalanche rated —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free) —
MSL Seviyesi 1 1
Polarity — N-Channel
Mode — Enhancement
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 200 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 0.800 ohm (max)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate-to-Drain Charge (Qgd) — Low (per datasheet - HEXFET design)
RoHS Durumu — Compliant (Pb-free PBF suffix)
Packaging — Tape & Reel (Left orientation - TRLPBF)
Avalanche Rated — Yes (HEXFET ruggedized design)
Technology Family — HEXFET, Planar, Generation 3

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin