IRLR3110ZTRPBF vs IRLR3110ZTRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLR3110ZTRPBF tarafından Infineon ve IRLR3110ZTRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 42 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
RDS(on) max @ VGS=10V 14 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 140 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C -55C to +175C
Paket TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET / Trench MOSFET IR HEXFET / Trench MOSFET
MSL Seviyesi 1 (Unlimited) [DATA_NEEDED: MSL Level]
RoHS Durumu Compliant Compliant (PBF suffix)
Lead-Free Plating Yes (PBF suffix) —
Klorürsüz Yes —
Transistor Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 42 A
Maximum Drain Current (ID max) — 63 A
On-Resistance (RDS(on) max) — 14 mOhm
Gate Charge (Qg) — 34 nC
Gate Drive Level — Logic-Level
Power Dissipation (PD) at TC — 140 W
Pin Sayısı — 3 (Drain, Gate, Source + Tab)
Repetitive Avalanche Rated — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin