IRLR3110ZTRPBF vs IRLR3110ZTRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLR3110ZTRPBF بذریعہ Infineon اور IRLR3110ZTRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR3110ZTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR3110ZTRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 42 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
RDS(on) max @ VGS=10V 14 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 140 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C -55C to +175C
پیکیج TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET / Trench MOSFET IR HEXFET / Trench MOSFET
MSL لیول 1 (Unlimited) [DATA_NEEDED: MSL Level]
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (PBF suffix)
Lead-Free Plating Yes (PBF suffix) —
ہیلوجن فری Yes —
Transistor Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 42 A
Maximum Drain Current (ID max) — 63 A
On-Resistance (RDS(on) max) — 14 mOhm
Gate Charge (Qg) — 34 nC
Gate Drive Level — Logic-Level
Power Dissipation (PD) at TC — 140 W
پن کی تعداد — 3 (Drain, Gate, Source + Tab)
Repetitive Avalanche Rated — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں