IRLR9343TRPBF vs IRF7416TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLR9343TRPBF tarafından Infineon ve IRF7416TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRLR9343TRPBF IRF7416TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRLR9343TRPBF —
FET Type P-Channel MOSFET P-Channel
Technology IR HEXFET HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -20 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating] -50 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 105 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] -1 V to -3 V
Total Gate Charge (Qg) 31 nC (typical) 61 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 79 W —
Paket PG-TO252-3 (DPAK) Surface Mount 8-SO (SOIC-8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: Tj min/max operating range] —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
MSL Seviyesi 1 1 (unlimited)
Optimized Application Class-D audio amplifier output stages —
Polarity P-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -10 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 20 mOhm at VGS = -10 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Power Dissipation (PD) max at TA=25C — 2.5 W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) — 50 C/W
İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +150 C

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin