IRLZ34NPBF vs IRF520NPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLZ34NPBF tarafından Infineon ve IRF520NPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRLZ34NPBF IRF520NPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number Suffix PBF = Lead-free (Pb-free), Tube packaging —
Transistor Türü N-Channel HEXFET Power MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C 30 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100 C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100 C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10 V 35 mOhm —
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=5 V [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=5 V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 1.0 V to 2.0 V (logic-level) —
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC (typical) —
Power Dissipation (PD) at Tc=25 C 68 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +175 C —
Paket TO-220AB (through-hole, 3 leads + tab) TO-220AB (through-hole)
Montaj Türü Through Hole Through Hole
RoHS Durumu Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant (Pb-free)
MSL Seviyesi Not applicable (through-hole) 1 (unlimited)
Series — HEXFET
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc — 9.7 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-to-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
R_DS(on) max at V_GS=10V — 200 mOhm
Total Gate Charge (Q_g) — 16.7 nC
Power Dissipation (P_D) at Tc — 48 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)
Technology — HEXFET (vertical DMOS)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin