IRLZ34NPBF vs IRF520NPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRLZ34NPBF bằng Infineon và IRF520NPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF - 55V 30A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLZ34NPBF - 55V 30A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLZ34NPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRF520NPBF IRF520NPBF - 100V 9.7A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF520NPBF - 100V 9.7A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF520NPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRLZ34NPBF IRF520NPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number Suffix PBF = Lead-free (Pb-free), Tube packaging —
Kiểu transitor N-Channel HEXFET Power MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C 30 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100 C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100 C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10 V 35 mOhm —
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=5 V [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=5 V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 1.0 V to 2.0 V (logic-level) —
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC (typical) —
Power Dissipation (PD) at Tc=25 C 68 W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55 C to +175 C —
Hộp TO-220AB (through-hole, 3 leads + tab) TO-220AB (through-hole)
Kiểu lắp đặt Through Hole Through Hole
Trạng thái RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant (Pb-free)
Cấp MSL Not applicable (through-hole) 1 (unlimited)
Series — HEXFET
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc — 9.7 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-to-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
R_DS(on) max at V_GS=10V — 200 mOhm
Total Gate Charge (Q_g) — 16.7 nC
Power Dissipation (P_D) at Tc — 48 W
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55C to +175C
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)
Technology — HEXFET (vertical DMOS)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá