IRLZ34NPBF vs IRF520NPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLZ34NPBF بذریعہ Infineon اور IRF520NPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLZ34NPBF IRF520NPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number Suffix PBF = Lead-free (Pb-free), Tube packaging —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel HEXFET Power MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C 30 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100 C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100 C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10 V 35 mOhm —
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=5 V [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=5 V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 1.0 V to 2.0 V (logic-level) —
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC (typical) —
Power Dissipation (PD) at Tc=25 C 68 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +175 C —
پیکیج TO-220AB (through-hole, 3 leads + tab) TO-220AB (through-hole)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
RoHS اسٹیٹس Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant (Pb-free)
MSL لیول Not applicable (through-hole) 1 (unlimited)
Series — HEXFET
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc — 9.7 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-to-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
R_DS(on) max at V_GS=10V — 200 mOhm
Total Gate Charge (Q_g) — 16.7 nC
Power Dissipation (P_D) at Tc — 48 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +175C
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)
Technology — HEXFET (vertical DMOS)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں