ISC011N04NM7VATMA1 vs IAUCN08S7L013ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC011N04NM7VATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN08S7L013ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | ISC011N04NM7VATMA1 | IAUCN08S7L013ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | OptiMOS 7 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 38 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 256 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.1 mΩ | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 136 W | 219 W |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | Up to 3.2 V | — |
| Technology | Trench MOSFET, silicon | — |
| Paket | PG-TDSON-8 (source-down) | PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Short-Circuit Withstand | Yes (current-limited) | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55 °C to +175 °C |
| RoHS Compliance | Compliant (per Infineon product page) | — |
| MSL Seviyesi | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Maximum On-Resistance (RDS(on) max) | — | 1.26 mΩ |
| Devamlı Akım Akışı (TC=25°C) | — | [DATA_NEEDED: continuous drain current at TC=25C] |
| Continuous Drain Current (TJ) | — | 293 A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] |
| Gate Drive Voltage (typical) | — | 10 V |
| Qualification | — | AEC-Q101 (automotive) |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Packaging | — | Tape & Reel (suffix ATMA1) |