ISC011N04NM7VATMA1 vs IAUCN08S7L013ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC011N04NM7VATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUCN08S7L013ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISC011N04NM7VATMA1 | IAUCN08S7L013ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | OptiMOS 7 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 38 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 256 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.1 mΩ | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 136 W | 219 W |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | Up to 3.2 V | — |
| Technology | Trench MOSFET, silicon | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8 (source-down) | PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Short-Circuit Withstand | Yes (current-limited) | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55 °C to +175 °C |
| RoHS Compliance | Compliant (per Infineon product page) | — |
| MSL لیول | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Maximum On-Resistance (RDS(on) max) | — | 1.26 mΩ |
| مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=25°C) | — | [DATA_NEEDED: continuous drain current at TC=25C] |
| Continuous Drain Current (TJ) | — | 293 A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] |
| Gate Drive Voltage (typical) | — | 10 V |
| Qualification | — | AEC-Q101 (automotive) |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| Packaging | — | Tape & Reel (suffix ATMA1) |