ISC011N06LM5ATMA1 vs IPZ40N04S53R1ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC011N06LM5ATMA1 tarafından Infineon ve IPZ40N04S53R1ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPZ40N04S53R1ATMA1 IPZ40N04S53R1ATMA1 - 40V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IPZ40N04S53R1ATMA1 - 40V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IPZ40N04S53R1ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC011N06LM5ATMA1 IPZ40N04S53R1ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number ISC011N06LM5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 MOSFET (Metal Oxide)
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 37 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 288 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 188 W —
RDS(on) max at VGS=10V 1.15 mOhm —
Paket PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSDSON-8 (5x6 mm) with exposed pad
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 8 —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C -55 C to +175 C
RoHS Durumu Compliant —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] MSL1 (260 C peak reflow)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25 C — 40 A
Power Dissipation (P_D) at Tc=25 C — 71 W
R_DS(on) max at V_GS=10 V, I_D=20 A — 3.1 mOhm
Drive Voltage (Max R_DS on, Min R_DS on) — 7 V, 10 V
Maximum V_GS — +/-20 V
Qualification — AEC-Q101 automotive
Avalanche Tested — 100 %
RoHS Compliance — Compliant (Green Product)
Series — OptiMOS 5 (IPZ family)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin