ISC011N06LM5ATMA1 vs IPZ40N04S53R1ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC011N06LM5ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPZ40N04S53R1ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
ISC011N06LM5ATMA1 ISC011N06LM5ATMA1 - 60V 1.1mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N06LM5ATMA1 - 60V 1.1mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N06LM5ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IPZ40N04S53R1ATMA1 IPZ40N04S53R1ATMA1 - 40V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IPZ40N04S53R1ATMA1 - 40V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IPZ40N04S53R1ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر ISC011N06LM5ATMA1 IPZ40N04S53R1ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number ISC011N06LM5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 MOSFET (Metal Oxide)
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 37 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 288 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 188 W —
RDS(on) max at VGS=10V 1.15 mOhm —
پیکیج PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSDSON-8 (5x6 mm) with exposed pad
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 8 —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C -55 C to +175 C
RoHS اسٹیٹس Compliant —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL level] MSL1 (260 C peak reflow)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25 C — 40 A
Power Dissipation (P_D) at Tc=25 C — 71 W
R_DS(on) max at V_GS=10 V, I_D=20 A — 3.1 mOhm
Drive Voltage (Max R_DS on, Min R_DS on) — 7 V, 10 V
Maximum V_GS — +/-20 V
Qualification — AEC-Q101 automotive
Avalanche Tested — 100 %
RoHS Compliance — Compliant (Green Product)
Series — OptiMOS 5 (IPZ family)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں