ISC078N12NM6ATMA1 vs ISC037N12NM6ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC078N12NM6ATMA1 tarafından Infineon ve ISC037N12NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
ISC078N12NM6ATMA1 - 120V 85A N-Ch MOSFET 7.8mΩ SuperSO8 | Infineon
ISC078N12NM6ATMA1 ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | ISC078N12NM6ATMA1 | ISC037N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 6 | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 85 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 13.2 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | 7.8 mΩ | — |
| Power Dissipation at Tc | 125 W | 214 W |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | 3 W |
| Paket | SuperSO8 (TDSON-8) | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C (junction) | -55C to +175C (junction) |
| Pin Sayısı | 8 | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 120 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | — | 19.2 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) at Tc | — | 163 A |
| On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V | — | 3.7 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] |
| Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse) |