ISC078N12NM6ATMA1 vs ISC037N12NM6ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار ISC078N12NM6ATMA1 توسط Infineon و ISC037N12NM6ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
ISC078N12NM6ATMA1 - 120V 85A N-Ch MOSFET 7.8mΩ SuperSO8 | Infineon
ISC078N12NM6ATMA1 ✓ فعال
مقایسه مشخصات
| پارامتر | ISC078N12NM6ATMA1 | ISC037N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 6 | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 85 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 13.2 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | 7.8 mΩ | — |
| Power Dissipation at Tc | 125 W | 214 W |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | 3 W |
| بسته‌بندی | SuperSO8 (TDSON-8) | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| محدوده دمای کاری | -55C to +175C (junction) | -55C to +175C (junction) |
| تعداد پایه | 8 | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| سطح MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 120 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | — | 19.2 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) at Tc | — | 163 A |
| On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V | — | 3.7 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] |
| Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse) |