ISZ056N03LF2SATMA1 vs ISZ028N03LF2SATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISZ056N03LF2SATMA1 tarafından Infineon ve ISZ028N03LF2SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISZ056N03LF2SATMA1 ISZ028N03LF2SATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series StrongIRFET 2 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 16 A 22 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 72 A 128 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V (typ) 2.35 V
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 5.6 mOhm —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 52 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C -55C to +175C (junction, typical)
Paket PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3x3.3 mm) PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Technology — StrongIRFET 2 (Trench MOSFET)
On-Resistance (RDS(on)) max — 2.8 mΩ
Power Dissipation (Tc) — 83 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V (logic level at 4.5 V)
MSL Seviyesi — 1
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin