ISZ056N03LF2SATMA1 vs ISZ028N03LF2SATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار ISZ056N03LF2SATMA1 توسط Infineon و ISZ028N03LF2SATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر ISZ056N03LF2SATMA1 ISZ028N03LF2SATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series StrongIRFET 2 —
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 16 A 22 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 72 A 128 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V (typ) 2.35 V
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 5.6 mOhm —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 52 W —
محدوده دمای کاری -55 C to +175 C -55C to +175C (junction, typical)
بسته‌بندی PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3x3.3 mm) PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Technology — StrongIRFET 2 (Trench MOSFET)
On-Resistance (RDS(on)) max — 2.8 mΩ
Power Dissipation (Tc) — 83 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V (logic level at 4.5 V)
سطح MSL — 1
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت