ISZ056N03LF2SATMA1 vs ISZ028N03LF2SATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של ISZ056N03LF2SATMA1 מאת Infineon ו ISZ028N03LF2SATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר ISZ056N03LF2SATMA1 ISZ028N03LF2SATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Series StrongIRFET 2 —
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 16 A 22 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 72 A 128 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V (typ) 2.35 V
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 5.6 mOhm —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 52 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55 C to +175 C -55C to +175C (junction, typical)
מארז PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3x3.3 mm) PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Technology — StrongIRFET 2 (Trench MOSFET)
On-Resistance (RDS(on)) max — 2.8 mΩ
Power Dissipation (Tc) — 83 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V (logic level at 4.5 V)
רמת MSL — 1
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר