ISZ056N03LF2SATMA1 vs ISZ028N03LF2SATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISZ056N03LF2SATMA1 بذریعہ Infineon اور ISZ028N03LF2SATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر ISZ056N03LF2SATMA1 ISZ028N03LF2SATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series StrongIRFET 2 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 16 A 22 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 72 A 128 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V (typ) 2.35 V
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 5.6 mOhm —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 52 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C -55C to +175C (junction, typical)
پیکیج PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3x3.3 mm) PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Technology — StrongIRFET 2 (Trench MOSFET)
On-Resistance (RDS(on)) max — 2.8 mΩ
Power Dissipation (Tc) — 83 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V (logic level at 4.5 V)
MSL لیول — 1
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں