K4A8G085WC-BCPB vs K4A8G085WB-BCTD Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G085WC-BCPB tarafından Samsung Electronics ve K4A8G085WB-BCTD tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCPB ✗ Son Kullanım ZamanıSamsung Electronics
K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung
K4A8G085WB-BCTD ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | K4A8G085WC-BCPB | K4A8G085WB-BCTD |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | DRAM | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Hayat Dönemi Sonu | Aktif |
| Birim Fiyat (USD) | — | $8,53 |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organizasyon | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Veri Hızı | 2133 Mbps | 2666 Mbps |
| Besleme Gerilimi | 1.2 V | 1.2 V |
| İşletim Sıcaklığı | 0 C to +85 C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Paket | 78FBGA | FBGA-78 (78-ball TFBGA) |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Maximum Seated Height | 1.2 mm | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | DDR4-2133 | — |
| Özellikler | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | ZQ calibration, CRC, CA parity, asynchronous reset |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] | — |
| CAS Gecikme | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| RoHS Durumu | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Die Revision | [DATA_NEEDED: die revision] | B-die |
| Standard Package Quantity | [DATA_NEEDED: standard package quantity] | — |
| Bank Structure | — | 16 banks, 4 bank groups |
| Burst Length | — | BL8 |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT), dynamic ODT |
| Speed Bin | — | -BCTD (CL-tRCD-tRP bin) |
| Terminations | — | 78 |
| JEDEC-30 Package Code | — | R-PBGA-B78 |