K4A8G085WC-BCPB vs K4A8G085WB-BCTD مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G085WC-BCPB توسط Samsung Electronics و K4A8G085WB-BCTD توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCPB ✗ پایان تولید
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G085WC-BCPB | K4A8G085WB-BCTD |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | DRAM | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | پایان عمر محصول | فعال |
| قیمت واحد (USD) | — | $8.53 |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| سازمان | 1G x 8 | 1G x 8 |
| نرخ داده | 2133 Mbps | 2666 Mbps |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | 1.2 V |
| دمای کاری | 0 C to +85 C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| بسته‌بندی | 78FBGA | FBGA-78 (78-ball TFBGA) |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Maximum Seated Height | 1.2 mm | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | DDR4-2133 | — |
| ویژگی‌ها | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | ZQ calibration, CRC, CA parity, asynchronous reset |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] | — |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Die Revision | [DATA_NEEDED: die revision] | B-die |
| Standard Package Quantity | [DATA_NEEDED: standard package quantity] | — |
| Bank Structure | — | 16 banks, 4 bank groups |
| Burst Length | — | BL8 |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT), dynamic ODT |
| Speed Bin | — | -BCTD (CL-tRCD-tRP bin) |
| Terminations | — | 78 |
| JEDEC-30 Package Code | — | R-PBGA-B78 |