K4A8G165WB-BCPB vs K4A8G165WB-BCRC Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G165WB-BCPB tarafından Samsung Electronics ve K4A8G165WB-BCRC tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4A8G165WB-BCPB | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Density | 8 Gb | — |
| Organizasyon | 512M x 16 | — |
| Veri Hızı | 2133 Mbps | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| İşletim Sıcaklığı | 0C to +85C | -40C to +95C |
| Paket | 96FBGA (TFBGA) | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Shape | Rectangular, bottom terminal position | — |
| Die Generation | 8Gb B-die | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Arayüz | DDR4 (synchronous, double data rate) | Parallel (DDR4 SDRAM bus) |
| Bank Groups | DDR4 bank-group architecture | — |
| RoHS Durumu | Compliant (per Lisleapex listing) | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh specification] | — |
| Bellek Boyutu | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Technology | — | CMOS, B-die 8Gb die |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | CRC function supported |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Clock Frequency | — | 1200 MHz (DDR4-2400) |