K4A8G165WB-BCPB vs K4A8G165WB-BCRC موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WB-BCPB بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G165WB-BCRC بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCPB ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G165WB-BCPB K4A8G165WB-BCRC
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (DRAM, volatile)
Density 8 Gb —
تنظیم 512M x 16 —
ڈیٹا ریٹ 2133 Mbps 2400 Mbps/pin (DDR4-2400)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت 0C to +85C -40C to +95C
پیکیج 96FBGA (TFBGA) 96-ball FBGA (PBGA96)
Number of Terminals 96 —
Package Shape Rectangular, bottom terminal position —
Die Generation 8Gb B-die —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
انٹرفیس DDR4 (synchronous, double data rate) Parallel (DDR4 SDRAM bus)
Bank Groups DDR4 bank-group architecture —
RoHS اسٹیٹس Compliant (per Lisleapex listing) —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh specification] —
میموری سائز — 8 Gb
Memory Organization — 512M x 16
Technology — CMOS, B-die 8Gb die
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC / CA Parity — CRC function supported
On-Chip Termination — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes
Clock Frequency — 1200 MHz (DDR4-2400)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں