K4A8G165WB-BCPB vs K4A8G165WB-BCRC So sánh

So sánh chi tiết song song của K4A8G165WB-BCPB bằng Samsung Electronics và K4A8G165WB-BCRC bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCPB ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4A8G165WB-BCPB K4A8G165WB-BCRC
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (DRAM, volatile)
Density 8 Gb —
Tổ chức 512M x 16 —
Tốc độ dữ liệu 2133 Mbps 2400 Mbps/pin (DDR4-2400)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Nhiệt độ hoạt động 0C to +85C -40C to +95C
Hộp 96FBGA (TFBGA) 96-ball FBGA (PBGA96)
Number of Terminals 96 —
Package Shape Rectangular, bottom terminal position —
Die Generation 8Gb B-die —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Giao diện DDR4 (synchronous, double data rate) Parallel (DDR4 SDRAM bus)
Bank Groups DDR4 bank-group architecture —
Trạng thái RoHS Compliant (per Lisleapex listing) —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh specification] —
Kích thước bộ nhớ — 8 Gb
Memory Organization — 512M x 16
Technology — CMOS, B-die 8Gb die
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC / CA Parity — CRC function supported
On-Chip Termination — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes
Clock Frequency — 1200 MHz (DDR4-2400)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá