K4A8G165WC-BCRC vs H5AN8G6NCJR-PBC Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G165WC-BCRC tarafından Samsung Electro-Mechanics ve H5AN8G6NCJR-PBC tarafından SK hynixAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4A8G165WC-BCRC H5AN8G6NCJR-PBC
Marka Samsung Electro-Mechanics SK hynix
Kategori EEPROM Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Stok Durumu In Stock —
Birim Fiyat (USD) $19,69 —
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Bellek Boyutu 8 Gbit 8 Gbit
Organizasyon 512M x 16 —
Veri Hızı 2400 Mbps [DATA_NEEDED: exact speed grade of -PBC suffix]
Clock Frequency 1333 MHz —
Besleme Gerilimi 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
Arayüz Parallel, 16-bit DDR Parallel, synchronous to both clock edges
Standby Current (Idle) 2 mA —
Operating Current 64 mA —
İşletim Sıcaklığı 0 C to +95 C 0C to +95C
Paket 96-FBGA (TFBGA) FBGA-96 (96-ball fine-pitch BGA)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Özellikler Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask —
Die Generation C-die —
Memory Format DRAM —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Memory Organization — 8Gb x16 (512M x 16)
Family Data Rate Range — Up to 2666 Mbps (family: H5AN8G6NCJR-xxC)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask Function — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Dynamic On-Die Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (family datasheet: Lead-Free & Halogen-Free, RoHS compliant)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin