K4AAG085WM-BCWE vs K4AAG085WM-BCRC Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4AAG085WM-BCWE tarafından Samsung Electronics ve K4AAG085WM-BCRC tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4AAG085WM-BCWE | K4AAG085WM-BCRC |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | DRAM | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | [DATA_NEEDED: exact density in Gb] |
| Organizasyon | 2G x 8 | x8 |
| Veri Hızı | 3200 Mbps (DDR4-3200) | — |
| Besleme Gerilimi | 1.2 V | — |
| İşletim Sıcaklığı | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Paket | 78FBGA | 78-ball FBGA |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Arayüz | DDR4 (JEDEC-standard) | SSTL12 |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| Speed Grade Suffix | -BCWE | — |
| Application Class | Memory IC / Storage Component | — |
| Power Reduction vs DDR3 | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) | — |
| RoHS Durumu | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Max Data Rate | — | Up to 3200 Mbps/pin (family max per Samsung DDR4 page) |
| Architecture | — | Bank-group DDR4 |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT) |
| CAS Gecikme | — | [DATA_NEEDED: CL of -BCRC speed grade] |
| Clock | — | Differential clock CK/CK# |