K4AAG085WM-BCWE vs K4AAG085WM-BCRC So sánh

So sánh chi tiết song song của K4AAG085WM-BCWE bằng Samsung Electronics và K4AAG085WM-BCRC bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4AAG085WM-BCWE K4AAG085WM-BCWE - 16Gb DDR4 3200Mbps 78FBGA | Samsung

K4AAG085WM-BCWE - 16Gb DDR4 3200Mbps 78FBGA | Samsung

K4AAG085WM-BCWE ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4AAG085WM-BCRC K4AAG085WM-BCRC - 32Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | Samsung

K4AAG085WM-BCRC - 32Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | Samsung

K4AAG085WM-BCRC ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4AAG085WM-BCWE K4AAG085WM-BCRC
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục DRAM Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gb [DATA_NEEDED: exact density in Gb]
Tổ chức 2G x 8 x8
Tốc độ dữ liệu 3200 Mbps (DDR4-3200) —
Điện áp cung cấp 1.2 V —
Nhiệt độ hoạt động 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Hộp 78FBGA 78-ball FBGA
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Giao diện DDR4 (JEDEC-standard) SSTL12
Bank Group Architecture Yes (DDR4) —
Speed Grade Suffix -BCWE —
Application Class Memory IC / Storage Component —
Power Reduction vs DDR3 Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) —
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Cấp MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Max Data Rate — Up to 3200 Mbps/pin (family max per Samsung DDR4 page)
Architecture — Bank-group DDR4
Termination — On-Die Termination (ODT)
Latency CAS — [DATA_NEEDED: CL of -BCRC speed grade]
Clock — Differential clock CK/CK#

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá