K4AAG085WM-BCWE vs K4AAG085WM-BCRC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4AAG085WM-BCWE توسط Samsung Electronics و K4AAG085WM-BCRC توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4AAG085WM-BCWE | K4AAG085WM-BCRC |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | DRAM | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | [DATA_NEEDED: exact density in Gb] |
| سازمان | 2G x 8 | x8 |
| نرخ داده | 3200 Mbps (DDR4-3200) | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | — |
| دمای کاری | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| بسته‌بندی | 78FBGA | 78-ball FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| رابط | DDR4 (JEDEC-standard) | SSTL12 |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| Speed Grade Suffix | -BCWE | — |
| Application Class | Memory IC / Storage Component | — |
| Power Reduction vs DDR3 | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Max Data Rate | — | Up to 3200 Mbps/pin (family max per Samsung DDR4 page) |
| Architecture | — | Bank-group DDR4 |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT) |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CL of -BCRC speed grade] |
| Clock | — | Differential clock CK/CK# |