K4B4G1646E-BCMA vs K4B4G1646E-BYK0 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646E-BCMA tarafından Samsung Electronics ve K4B4G1646E-BYK0 tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4B4G1646E-BCMA K4B4G1646E-BCMA - 4Gb DDR3 SDRAM 1066MHz FBGA-96 | Samsung

K4B4G1646E-BCMA - 4Gb DDR3 SDRAM 1066MHz FBGA-96 | Samsung

K4B4G1646E-BCMA ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYK0 K4B4G1646E-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK0 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4B4G1646E-BCMA K4B4G1646E-BYK0
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Stok Durumu In Stock —
Birim Fiyat (USD) $3,77 —
Bellek Türü DDR3 SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
Organizasyon 256M x 16 256M x 16
Clock / Data Rate 1066 MHz / 1066 Mbps per data pin —
Besleme Gerilimi 1.425 V to 1.575 V (1.5 V nominal) 1.35 V (1.283 V to 1.45 V)
İşletim Sıcaklığı 0C to +95C 0°C to +95°C (TC)
Paket FBGA-96 (7.5 x 13.3 mm) 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch)
Operating Supply Current (IDD) 55 mA —
Standby Current 2 mA —
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
On-Die Termination (ODT) Dynamic ODT supported —
ZQ Calibration Yes Yes
Data Mask Function Yes —
Montaj Türü Surface Mount (BGA) —
RoHS Durumu Compliant —
Veri Hızı — DDR3-1600 (800 MHz)
CAS Gecikme — 11 (CL-tRCD-tRP)
Burst Length — 8 (fixed), 4 (burst chop)
On-Die Termination — Yes (dynamic ODT)
Self-Refresh — Yes
Data Mask — Yes
RoHS — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin