K4B4G1646E-BCMA vs K4B4G1646E-BYK0 So sánh

So sánh chi tiết song song của K4B4G1646E-BCMA bằng Samsung Electronics và K4B4G1646E-BYK0 bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4B4G1646E-BCMA K4B4G1646E-BCMA - 4Gb DDR3 SDRAM 1066MHz FBGA-96 | Samsung

K4B4G1646E-BCMA - 4Gb DDR3 SDRAM 1066MHz FBGA-96 | Samsung

K4B4G1646E-BCMA ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYK0 K4B4G1646E-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK0 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4B4G1646E-BCMA K4B4G1646E-BYK0
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Trạng thái kho In Stock —
Giá đơn vị (USD) $3,77 —
Kiểu bộ nhớ DDR3 SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
Tổ chức 256M x 16 256M x 16
Clock / Data Rate 1066 MHz / 1066 Mbps per data pin —
Điện áp cung cấp 1.425 V to 1.575 V (1.5 V nominal) 1.35 V (1.283 V to 1.45 V)
Nhiệt độ hoạt động 0C to +95C 0°C to +95°C (TC)
Hộp FBGA-96 (7.5 x 13.3 mm) 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch)
Operating Supply Current (IDD) 55 mA —
Standby Current 2 mA —
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
On-Die Termination (ODT) Dynamic ODT supported —
ZQ Calibration Yes Yes
Data Mask Function Yes —
Kiểu lắp đặt Surface Mount (BGA) —
Trạng thái RoHS Compliant —
Tốc độ dữ liệu — DDR3-1600 (800 MHz)
Latency CAS — 11 (CL-tRCD-tRP)
Burst Length — 8 (fixed), 4 (burst chop)
On-Die Termination — Yes (dynamic ODT)
Self-Refresh — Yes
Data Mask — Yes
RoHS — Compliant

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá