K4B4G1646I-BYK0 vs MT41K256M16HA-125 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646I-BYK0 tarafından Samsung Electronics ve MT41K256M16HA-125 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4B4G1646I-BYK0 K4B4G1646I-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646I-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646I-BYK0 ✓ Aktif
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4B4G1646I-BYK0 MT41K256M16HA-125
Marka Samsung Electronics Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) — $6,36
Bellek Türü DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Bellek Boyutu 4 Gb 4Gbit (256M x 16)
Organizasyon 256M x 16 —
Besleme Gerilimi 1.35 V 1.35 V
Veri Hızı 1866 Mbps —
Clock Frequency 933 MHz 800 MHz
Paket FBGA-96 96-FBGA (9x14 mm)
İşletim Sıcaklığı 0°C to 95°C (Tc) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Arayüz Parallel —
Number of Banks 8 —
CAS Gecikme [DATA_NEEDED: CAS Latency] 11
Burst Length 8, 4 —
RoHS Compliant —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Lead-Free Yes Yes
Veri Bus Genişliği — 16 bit
Access Time — 13.75 ns
Pin Sayısı — 96
RoHS Durumu — Compliant
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin