K4B4G1646I-BYK0 vs MT41K256M16HA-125 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646I-BYK0 بذریعہ Samsung Electronics اور MT41K256M16HA-125 بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4B4G1646I-BYK0 K4B4G1646I-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646I-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646I-BYK0 ✓ فعال
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4B4G1646I-BYK0 MT41K256M16HA-125
برانڈ Samsung Electronics Micron Technology
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) — $6.36
میموری ٹائپ DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
میموری سائز 4 Gb 4Gbit (256M x 16)
تنظیم 256M x 16 —
سپلائی وولٹیج 1.35 V 1.35 V
ڈیٹا ریٹ 1866 Mbps —
Clock Frequency 933 MHz 800 MHz
پیکیج FBGA-96 96-FBGA (9x14 mm)
آپریٹنگ درجہ حرارت 0°C to 95°C (Tc) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
انٹرفیس Parallel —
Number of Banks 8 —
CAS لیٹنسی [DATA_NEEDED: CAS Latency] 11
Burst Length 8, 4 —
RoHS Compliant —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Lead-Free Yes Yes
ڈیٹا بس چوڑائی — 16 bit
Access Time — 13.75 ns
پنز کی تعداد — 96
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں