K4B4G1646I-BYK0 vs MT41K256M16HA-125 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646I-BYK0 بواسطة Samsung Electronics و MT41K256M16HA-125 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4B4G1646I-BYK0 | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | — | $6.36 |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| حجم الذاكرة | 4 Gb | 4Gbit (256M x 16) |
| التنظيم | 256M x 16 | — |
| جهد التغذية | 1.35 V | 1.35 V |
| معدل البيانات | 1866 Mbps | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | 800 MHz |
| العلبة | FBGA-96 | 96-FBGA (9x14 mm) |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to 95°C (Tc) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| الواجهة | Parallel | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 11 |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| RoHS | Compliant | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| عرض ناقل البيانات | — | 16 bit |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| عدد الدبابيس | — | 96 |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |