K4B4G1646I-BYK0 vs MT41K256M16HA-125 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646I-BYK0 توسط Samsung Electronics و MT41K256M16HA-125 توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4B4G1646I-BYK0 | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Micron Technology |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | — | $6.36 |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| اندازه حافظه | 4 Gb | 4Gbit (256M x 16) |
| سازمان | 256M x 16 | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.35 V | 1.35 V |
| نرخ داده | 1866 Mbps | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | 800 MHz |
| بسته‌بندی | FBGA-96 | 96-FBGA (9x14 mm) |
| دمای کاری | 0°C to 95°C (Tc) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| رابط | Parallel | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 11 |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| RoHS | Compliant | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| عرض گذرگاه داده | — | 16 bit |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| تعداد پین‌ها | — | 96 |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |