K4RBH165VB-BCQK vs K4RHE165VB-BCWM Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4RBH165VB-BCQK tarafından Samsung Electronics ve K4RHE165VB-BCWM tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4RBH165VB-BCQK K4RBH165VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH165VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH165VB-BCQK ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE165VB-BCWM ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4RBH165VB-BCQK K4RHE165VB-BCWM
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Bellek Boyutu 16 Gb —
Organizasyon 1G x 16 1G x 16
Veri Hızı 4800 Mbps/pin 5600 Mbps
Speed Grade BCQK (4800 Mbps) —
İşletim Sıcaklığı 0 C to +85 C 0 C to +85 C
Self Refresh Auto self-refresh —
Reset Function Asynchronous reset —
Error Correction On-chip (on-die) ECC —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
Besleme Gerilimi [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD), nominally 1.1 V for DDR5] 1.1 V
Package Type [DATA_NEEDED: exact package code, expected FBGA surface mount] —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Burst Length [DATA_NEEDED: burst length (BL16 per DDR5 standard)] —
Density — 24 Gb
Paket — 106 FBGA
Product Status — Mass Production
Arayüz — Parallel, DDR5
Generation — DDR5
Application Segment — DDR5 memory modules and HPC systems
Speed Grade Suffix — BCWM
tCK (Clock Period) — [DATA_NEEDED: clock period]
CAS Gecikme — [DATA_NEEDED: CAS latency]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin