K4RCH046VM-2CLP vs K4RHE086VB-BCWM Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4RCH046VM-2CLP tarafından Samsung Electronics ve K4RHE086VB-BCWM tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4RCH046VM-2CLP K4RCH046VM-2CLP - 32Gb DDR5 SDRAM 6400Mbps | Samsung

K4RCH046VM-2CLP - 32Gb DDR5 SDRAM 6400Mbps | Samsung

K4RCH046VM-2CLP ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4RHE086VB-BCWM K4RHE086VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE086VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE086VB-BCWM ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4RCH046VM-2CLP K4RHE086VB-BCWM
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 32 Gb 24 Gb
Organizasyon 4G x 4 2G x 8
Veri Hızı 6400 Mbps 5600 Mbps
Besleme Gerilimi 1.1 V 1.1 V
İşletim Sıcaklığı 0C to 85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Paket 78-FBGA 82 FBGA
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Configuration x4 component x8
Arayüz DDR5 (SSTL-style low-voltage signaling) DDR5 (JEDEC)
Family Speed Range (Samsung DDR5) up to 7200 Mbps —
Family Density Range (Samsung DDR5) 16 Gb to 32 Gb —
Power Efficiency vs DDR4 Approx. 30% greater —
Product Status (per distributor listing) Sample / Active supply via distribution —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] unknown
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Application Segment — Server / Data Center / Premium PC
Manufacturer — Samsung Semiconductor
Access Time / CAS Latency — [DATA_NEEDED: CAS latency]
On-Die ECC — [DATA_NEEDED: on-die ECC support]
Package Height — [DATA_NEEDED: package height]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin